【摘要】 本发明公开了一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法，该方法 是利用电子束光刻在镂空的聚酰亚胺自支撑薄膜上制作叉指换能器的母 版，再利用X射线曝光在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立图 形，然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。利用本发明，可以极大地 减小电极材料的背散射效应，得到纳米尺度的叉指换能器电极，进一步提 高声表面波器件的工作频率和性能。另外，还可以反复多次进行X射线曝 光，提高了制作效率，极大减小了制作成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810222328.2 【申请日】2008-09-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677231A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677231B 【授权公告日】2012-05-23 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H03H3/08 【发明人】赵以贵; 李晶晶; 朱效立; 牛洁斌; 刘明 【主权项内容】1、一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法，其特征在于，该 方法是利用电子束光刻在镂空的聚酰亚胺自支撑薄膜上制作叉指换能器 的母版，再利用X射线曝光在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹 立图形，然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】13 【被自引次数】3.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】13
