【摘要】 本发明涉及一种从含铊渣中提取金属铊的方法，属于真空冶金技术领域。采用含铊渣在真空炉内三步蒸馏提取金属铊，控制真空度为8～40Pa，时间为30～60min，三步蒸馏温度分别为在450℃～600℃、900-1100℃、700-850℃，在真空炉内提取铊的纯度可达99.9％以上，铊回收率可达90％以上。 【专利类型】发明授权 【申请人】昆明理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】650031 云南省昆明市学府路253号 【申请人地区】中国 【申请人城市】昆明市 【申请人区县】五华区 【申请号】CN200810058693.4 【申请日】2008-07-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101314823B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101314823B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C22B61/00; C22B7/04; C22B5/16 【发明人】杨斌; 戴永年; 姚顺忠; 马文会; 刘大春; 徐宝强; 刘永成; 周晓奎; 汪镜福; 秦博 【主权项内容】一种从含铊渣中提取金属铊的方法，其特征在于：按以下技术方案实现，1).以含铊渣为原料，采用真空度在8-40Pa，时间30-60min，温度450-600℃进行一级蒸发分离，得到一次富铊物料；2).以一次富铊物料为原料，在8-40Pa，时间30-60min，温度900-1100℃下二级蒸发分离，使铊富集于二次蒸发物中；3).以二次蒸发物为原料，采用真空度在8-40Pa，时间30-60min，温度700-850℃下三级蒸发分离，获得金属铊。 【当前权利人】昆明理工大学 【当前专利权人地址】云南省昆明市学府路253号 【统一社会信用代码】125300004312044864 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】10
