【摘要】 本发明涉及一种接触插塞电熔丝结构及制造接触插塞电熔丝装置的方法。接触插塞电熔丝结构包括硅层及与硅层接触的接触插塞，对接触插塞施加电压后，接触插塞在与硅层接触的一端形成空洞而达成断开的现象。其可应用于电熔丝装置或只读存储器中。应用于电熔丝装置时，其在阴极仅需要一个接触插塞，并且需要的电流相对较小，因此接触插塞电熔丝结构加上致断装置的整体尺寸可减小许多。再者，本发明的接触插塞电熔丝结构亦可便利的使用与金属栅极一样的材料而与金属栅极同时来制作。应用于只读存储器结构时，结构与工艺均简单，且烧录方便。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810178896.7 【申请日】2008-12-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752344A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752344B 【授权公告日】2012-11-21 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L23/525; H01L27/112; H01L21/8234; H01L21/8246; H01L21/768; H01L23/52; H01L21/70 【发明人】林永昌; 吴贵盛; 林三富; 施惠绅 【主权项内容】一种接触插塞电熔丝结构，包括：硅层；及接触插塞，其包括第一端及第二端，以该第一端与该硅层接触，及对该接触插塞施加电压后，该接触插塞与该硅层接触的该第一端之处形成空洞而断开。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】12 【被自引次数】2.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】12
