【摘要】 本发明公开一种发光元件，至少包含：一基板、一绝缘层、一接合层、一外延结构、一第一反射层、一第二反射层、一第一电极及一第二电极。其中，该第一电极及该第二电极位于该外延结构的同一平面上。 【专利类型】发明授权 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810001299.7 【申请日】2008-01-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101488539B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101488539B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】吕志强; 骆武聪; 洪圣峰 【主权项内容】一种发光元件，至少包含：一永久基板；一接合层，形成于该永久基板上；一外延结构，形成于该接合层上；一第一电极，形成于该外延结构的上表面；一第一反射层，形成于该外延结构与该第一电极之间；一第二电极，形成于该外延结构的上表面；一第二反射层，形成于该外延结构与该第二电极之间；且一保护层，形成于该外延结构的周围，该外延结构还至少包含：一第二电性半导体层，形成于该接合层上，且与该第二电极电连接；一有源层，形成于该第二电性半导体层上；以及一第一电性半导体层，形成于该有源层上，且与该第一电极电连接，其中该第二电性半导体层的电性不同于该第一电性半导体层的电性，一第一电性接触层，位于该第一电极和该第一电性半导体层之间；以及一第二电性接触层，位于该第二电性半导体层和该接合层之间，该第二电极沿该外延结构的侧边区域和该第二电性接触层电连接。。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】8
