【摘要】 一种减少集成电路角部剥落和破裂的破裂防止结构。破裂防止结构包 括：半导体衬底；布置在半导体衬底上的第一材料的第一多个电介质层； 以不同于第一材料的第二材料，布置在第一多个电介质层上的第二多个电 介质层，其中，第一多个电介质层和第二多个电介质层在界面处相遇；和 通过第一多个电介质层和第二多个电介质层的界面形成的多个金属结构和 多个通孔结构。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810192904.3 【申请日】2008-12-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640190A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101640190B 【授权公告日】2012-03-14 【授权公告年份】2012.0 【发明人】陈宪伟; 刘豫文; 蔡豪益 【主权项内容】1.一种破裂防止结构，布置在划片槽之间的多个半导体管芯，其中， 划片槽包括至少一个破裂防止结构，该破裂防止结构包括： 半导体衬底； 布置在半导体衬底上的第一材料的第一多个电介质层； 以不同于第一材料的第二材料，布置在第一多个电介质层上的第二多 个电介质层，其中，第一多个电介质层和第二多个电介质层在界面处相遇； 和 形成通过第一多个电介质层和第二多个电介质层的界面的多个金属结 构和多个通孔结构。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
