【摘要】 本发明是一种修正凸块尺寸的方法，包括：提供一晶片且具有一主动面；形成 一光致抗蚀剂层在晶片的主动面上；提供具有一图案的光掩模层，其中该图案为一 几何形状；执行一第一曝光工序，使得光掩模层的图案转移到光致抗蚀剂层上；执 行一显影及蚀刻步骤，以移除部份光致抗蚀剂层且在光致抗蚀剂层内形成具有几何 形状的多个开口；填满金属层在具有几何形状的多个开口内；及移除光致抗蚀剂层， 以形成具有几何形状的多个凸块在晶片的主动面上。 【专利类型】发明申请 【申请人】南茂科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810213645.8 【申请日】2008-08-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101655663A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【发明人】齐中邦 【主权项内容】1.一种形成凸块的方法，包括： 提供一晶片，其具有一主动面且该主动面上具有多个焊垫； 形成一光致抗蚀剂层在该晶片的该主动面上； 提供一具有图案的光掩模层，其中该图案是一几何形状； 执行一第一曝光工序，使得该光掩模层的该图案转移到该光致抗蚀剂层上； 执行一显影及蚀刻步骤，以移除部份该光致抗蚀剂层且在该光致抗蚀剂层内形 成具有该几何形状的多个开口； 填满一金属层在具有该几何形状的这些开口内；及 移除该光致抗蚀剂层，以形成具有几何形状的多个凸块在该晶片的该主动面 上。 【当前权利人】南茂科技股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号
