【摘要】 本发明涉及一种在电介质层堆叠中蚀刻接触孔的方法。该方法可最小化接触孔与邻近的导电结构之间的桥接缺陷。衬底具有导电材料层与有源器件设置在其上。蚀刻终止层覆盖在元件与导电材料层上。接着提供层间电介质层与抗反射覆盖层。利用图形化的光刻胶，蚀刻一孔穿过电介质层堆叠。利用灰化来去除所有但不去除蚀刻终止层与层间电介质层。沉积隔离衬层在层间电介质层、孔的侧壁表面与蚀刻终止层的暴露上表面上。另一个蚀刻去除位于蚀刻终止层的暴露上表面上的隔离衬层，并去除下方的蚀刻终止层，以暴露出导电材料层的上表面。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810098036.2 【申请日】2008-05-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101447448B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101447448B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/311 【发明人】刘兴伦; 林焕哲; 陈世昌 【主权项内容】一种在多层堆叠中形成孔的方法，其特征在于，至少包括：a、提供一衬底层；b、提供一导电材料层在该衬底层上；c、提供一蚀刻终止层在该导电材料层上；d、提供一电介质层在该蚀刻终止层上；e、提供一光刻胶层在该电介质层上，该光刻胶层具有一预设图形；f、进行一第一蚀刻步骤，以去除该电介质层与该蚀刻终止层未受到该预设图形保护的部分，用以形成由该预设图形所定义的一孔穿过该电介质层与部分的该蚀刻终止层；g、去除该光刻胶层；h、提供一隔离衬层在该电介质层的一上表面上，该隔离衬层还覆盖该孔的内侧表面与该第一蚀刻步骤所暴露出的该蚀刻终止层的一上表面；以及i、进行一第二蚀刻步骤，以去除该隔离衬层位于该第一蚀刻步骤所暴露出的该蚀刻终止层的该上表面上的部分；其中该第二蚀刻步骤暴露出部分的该导电材料层。。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】12
