【摘要】 本发明提供一种不对称静态随机存取存储器，包括至少一个静态随机存 取存储单元，静态随机存取存储单元包括一第一反相器和一第二反相器。第 一反相器耦接于第一电源和接地电源之间，并具有第一输出端耦接第一节点 和第一输入端耦接第二节点。第二反相器耦接于第一电源和接地电源之间， 并具有第二输入端耦接第一节点和第二输出端耦接第二节点。其中当第一电 源提供给第一反相器和第二反相器时，静态随机存取存储单元通过第一反相 器和第二反相器具有不同导通程度以预先程序化一特定值。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810131388.3 【申请日】2008-08-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101650969A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【发明人】陈瑞隆; 陈伟松; 钟毅勋; 张家铨 【主权项内容】1、一种不对称静态随机存取存储器，包括至少一个静态随机存取存储单 元，其特征在于，所述静态随机存取存储单元包括： 一第一反相器，耦接于一第一电源和一接地电源之间，具有一第一输出 端耦接一第一节点和一第一输入端耦接一第二节点；以及 一第二反相器，耦接于所述第一电源和所述接地电源之间，具有一第二 输入端耦接所述第一节点和一第二输出端耦接所述第二节点； 其中当所述第一电源提供给所述第一反相器和所述第二反相器时，所述 静态随机存取存储单元通过所述第一反相器和所述第二反相器具有不同导通 程度以预先程序化一特定值。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
