【摘要】 本发明是一种具有低接面场效应晶体管区域阻值的半导体元件，其是一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，包含有一基底；一半导体层，形成于该基底上；一栅极结构，形成于该半导体层上，具有一开口；一第一源极/漏极区及一第二源极/漏极区，形成于该栅极结构两侧的该半导体层中，具有一第一导电性；一通道区，位于该第一源极/漏极区及该第二源极/漏极区之间，该通道区包含有具有该第一导电性的一掺质；以及一离子掺杂区，形成于该通道区中及该栅极结构的该开口下方，具有该第一导电性；其中，该离子掺杂区的掺杂浓度高于该通道区的掺杂浓度。 【专利类型】发明申请 【申请人】茂达电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区笃行一路六号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810176710.4 【申请日】2008-11-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740617A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/10; H01L29/423; H01L29/66; H01L29/02; H01L29/40 【发明人】林伟捷; 陈和泰; 徐信佑 【主权项内容】一种高压金属氧化物半导体晶体管元件，包含有：一基底；一半导体层，形成于该基底上；一栅极结构，形成于该半导体层上，具有一开口；一第一源极/漏极区，形成于该栅极结构两侧的该半导体层中，具有一第一导电性；一第二源极/漏极区，形成于该栅极结构两侧的该半导体层中，具有该第一导电性；一通道区，位于该第一源极/漏极区及该第二源极/漏极区之间，该通道区包含有具有该第一导电性的一掺质；以及一离子掺杂区，形成于该通道区中及该栅极结构的该开口下方，具有该第一导电性；其中，该离子掺杂区的掺杂浓度高于该通道区的掺杂浓度。 ： 【当前权利人】茂达电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区笃行一路六号 【引证次数】1.0 【被引证次数】1 【他引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】1
