【摘要】 本发明是有关于一种制造记忆体的方法、记忆装置及操作存取记忆装置的方法，是揭露一种具有至少一多阶记忆单元的记忆装置，以及每一多阶记忆单元被组设来储存n个位元(而n是一整数)，其中该复数位元是储存至一电荷储存层，而藉由施加一电压来设定或重置该记忆单元的临界电压Vt至2n个电平之一，来捕捉注射出的电荷载子。每一记忆单元可以写入至一复数个2n个电平之一，其中n代表n个位元。本发明的制造记忆体的方法，尤其可以用来制造挥发性记忆体。本发明的新的记忆装置，尤其可以利用于挥发性记忆体。本发明的操作存取记忆装置的方法，可以用来操作上述的记忆装置，能够达成在记忆单元中储存多位元的方法。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810100436.2 【申请日】2008-06-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101355030B 【公开公告日】2010-07-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101355030B 【授权公告日】2010-07-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336; H01L29/78; G11C11/4063; G11C16/10; G11C16/14 【发明人】吴昭谊 【主权项内容】一种制造记忆体的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基板；在该基板之上形成一电荷储存层，该电荷储存层与该基板直接接触；在该电荷储存层之上形成一绝缘层；以及在该绝缘层之上形成一多晶硅层，其中，所述的形成该电荷储存层包含由硅丰氮化物、硅丰氮氧化硅、硅丰氧化硅、锗丰氮化锗、锗丰氧化锗及锗丰氮氧化锗之一所形成。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】5
