【摘要】 一种保护双极性晶体管电路的间隙壁制造方法，所述双极性晶体管电 路与一MOS晶体管的闸极电路在同一基板上，其特征在于包括下列步骤： 第一步骤：沉积一间隙壁材料层在所述基板上；第二步骤：干蚀刻所述间 隙壁材料层至留下具有一预设厚度的薄层；第三步骤：湿蚀刻所述薄层至 露出所述双极性晶体管电路。本发明的保护双极性晶体管电路的间隙壁制 造方法具有在去除多余间隙壁材料的同时兼顾硅基板表面的完整，改善接 面漏电流和提高BJT的电流增益β的优点。 【专利类型】发明申请 【申请人】立锜科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹县竹北市台元街20号5楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810145560.0 【申请日】2008-07-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635279A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101635279B 【授权公告日】2014-09-24 【授权公告年份】2014.0 【发明人】詹前陵; 刘景萌; 苏宏德 【主权项内容】1.一种保护双极性晶体管电路的间隙壁制造方法，所述双极性晶体 管电路与一MOS晶体管的闸极电路在同一基板上，其特征在于包括下列 步骤： 第一步骤：沉积一间隙壁材料层在所述基板上； 第二步骤：干蚀刻所述间隙壁材料层至留下具有一预设厚度的薄层； 第三步骤：湿蚀刻所述薄层至露出所述双极性晶体管电路。 【当前权利人】立锜科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县竹北市台元街20号5楼 【被引证次数】1 【家族被引证次数】1
