【摘要】 一种金属垫片形成方法及金属垫片结构。较宽的第一垫片金属与第一金属同时形成。接着，于第一垫片金属及第一金属上形成介电层。然后，在介电层中形成第一开口以及第二开口以分别露出第一金属以及第一垫片金属。最后，形成覆盖第一垫片金属的第二垫片金属，进而产生金属垫片。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810107868.6 【申请日】2008-05-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101335225B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101335225B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/60; H01L21/768; H01L23/485; H01L23/522 【发明人】洪永泰; 潘仁泉; 苏金达; 杨大弘 【主权项内容】一种于基板上形成金属垫片的方法，包括：(a)于该基板上形成互相分离的第一金属以及第一垫片金属，其中该第一垫片金属的宽度大于该第一金属的宽度；(b)于该第一金属、该第一垫片金属以及该基板上沉积介电层；(c)在该介电层中形成第一开口以及第二开口以分别露出该第一金属以及该第一垫片金属；(d)形成钨材料层于该介电层上并填满该第一开口及该第二开口中，以分别产生第一贯孔以及第二贯孔；(e)利用化学机械抛光方法清除该介电层表面的该钨材料层以曝露该介电层表面；(f)利用回蚀刻工艺清除该第二贯孔中的所有该钨材料层以曝露该第一垫片金属；以及(g)形成覆盖该第一垫片金属的第二垫片金属，其中该第一垫片金属以及该第二垫片金属形成该金属垫片。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
