【摘要】 本发明公开了一种堆叠电容的储存电极结构及其制作方法。该堆叠电容的储存电极结构，包含有基底，其上设有导电区域；蚀刻停止层，覆盖该导电区域；导电层，穿过该蚀刻停止层，而与该导电区域电连接；环形的导电间隙壁，设于该导电层侧壁上，其中该导电间隙壁位于该蚀刻停止层上，且该导电层与该导电间隙壁构成储存电极基柱；以及储存电极上部，叠设于该储存电极基柱上。 【专利类型】发明申请 【申请人】南亚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810185348.7 【申请日】2008-12-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752379A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752379B 【授权公告日】2013-03-06 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L27/108; H01L21/8242 【发明人】吴晓婷 【主权项内容】一种堆叠电容的储存电极结构，特征在于包含有：基底，其上设有导电区域；蚀刻停止层，覆盖该导电区域；导电层，穿过该蚀刻停止层，而与该导电区域电连接；环形的导电间隙壁，设于该导电层侧壁上，其中该导电层与该导电间隙壁构成储存电极基柱；以及储存电极上部，叠设于该储存电极基柱上。 【当前权利人】南亚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】3
