【摘要】 本发明涉及一种微波衰减器材料及制备方法，特别涉及一种应用于真空条件下的绿色环保微波衰减器材料及制备技术，属于微波电子真空技术领域。本发明的高导热微波衰减器材料，包括金属相Mo或W：1.65～2.01vol.％(磁控溅射镀膜)；介质相AlN：93～96vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％。本发明的微波衰减器材料导热率高、气孔率低、机械强度高、均匀性及一致性高且无毒、无污染，此材料可以满足在较宽频段内，至少有20dB的反射衰减量。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市海淀区新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810227383.0 【申请日】2008-11-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101734922A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101734922B 【授权公告日】2012-07-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C04B35/581; C04B41/88; H01P1/22 【发明人】杨志民; 董桂霞; 马书旺; 杜军; 毛昌辉 【主权项内容】一种高导热微波衰减器材料，其特征在于：包括金属相Mo或W：1.65～2.01vol.％；介质相AlN：93～96vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％。 【当前权利人】有研工程技术研究院有限公司 【当前专利权人地址】北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号 【被引证次数】8 【被自引次数】1.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】8
