【摘要】 一种直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法，包括：在衬底层上制备栅电极；在栅电极上制备SiO2介电层；在SiO2介电层上制备并五苯薄膜；和在并五苯薄膜上分别制备源电极和漏电极；在SiO2介电层上制备并五苯薄膜的步骤为：先用浓度5wt％～29wt％的氨水溶液超声清洗SiO2介电层；再采用真空蒸镀的方法在经超声清洗SiO2介电层沉积蒸镀并五苯薄膜，其沉积速度为0.001～0.04nm/s，真空度为1×10-5mbar～1×10-7mbar，温度为室温到60℃，沉积的并五苯薄膜厚度为30-100nm。该方法简单，安全和环保，且能获得高迁移率的晶体管。 ： 【专利类型】发明授权 【申请人】国家纳米科学中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190 北京市海淀区中关村北一条11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810111971.8 【申请日】2008-05-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101587940B 【公开公告日】2010-12-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101587940B 【授权公告日】2010-12-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L51/40 【发明人】祁琼; 江潮; 余爱芳 【主权项内容】一种直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法，包括：在衬底层上制备栅电极；在栅电极上制备SiO2介电层；在SiO2介电层上制备并五苯薄膜；和在并五苯薄膜上分别制备源电极和漏电极；其特征在于，所述的在SiO2介电层上制备并五苯薄膜的步骤为：‑先用浓度5wt％～29wt％的氨水溶液超声清洗SiO2介电层；再采用真空蒸镀的方法在经氨水溶液清洗的SiO2介电层上蒸镀并五苯薄膜，其沉积速度为0.001～0.04nm/s，真空度为1×10‑5mbar～1×10‑7mbar，温度为室温到60℃，沉积的并五苯薄膜厚度为30‑100nm。 【当前权利人】国家纳米科学中心 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一条11号 【统一社会信用代码】12100000717806298R 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8
