【摘要】 一种单晶硫化锌纳米线的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明是在管式炉中通入流量为108～113ml/min的氩气和氢气的混合气体；将ZnS粉末放在石英舟中作为蒸发源，和舟一起放在管式炉中，同时将清洗过的硅片放入炉中，硅片距离蒸发源25～30mm，其中蒸发源放在气流的入口方向，硅片放在气流的出口方向；将管式炉升温至890～910℃，保温时间为80～120min，炉内压强为0.015～0.03MPa。当炉子的温度降至室温后，在硅片上沉积一层ZnS纳米线白色薄膜。本发明合成温度比较低，而且没有采用外来催化剂。制备出的ZnS纳米线具有面心立方结构，纳米线尖端的直径只有20～30nm，长度为10～15μm。纳米线为单晶，结晶质量比较高。本发明操作工艺简便，原料易得，成本低，易于规模化生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810103466.9 【申请日】2008-04-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101311386B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101311386B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/48; C30B29/62; C30B23/00 【发明人】常永勤 【主权项内容】一种单晶硫化锌纳米线的制备方法，将ZnS粉末放在石英舟中作为蒸发源，和舟一起放在管式炉中，同时将分别经过酒精和丙酮超声清洗过的硅片放入炉中，其特征在于，硅片距离蒸发源25～30mm，其中蒸发源放在气流的入口方向，硅片放在气流的出口方向；在管式炉中通入流量为108～113ml/min的氢气和氩气的混合气体；将管式炉升温至890～910℃，保温时间为80～120min，炉子内的压强为0.015～0.03MPa，当炉子的温度降至室温后，取出硅片，在硅片上沉积一层ZnS纳米线白色薄膜。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【家族被引证次数】3
