【摘要】 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，适用于高电压操作，所述 装置包括：一衬底，具有一第一导电性；多个隔离结构，设置于衬底的表面； 一阱，设置于隔离结构间的所述衬底内，具有相反于所述第一导电性的一第 二导电性以及一露出表面；一基体区，设置于阱的一部分中，具有相同于衬 底的第一导电性以及一凹表面；一栅堆叠物，设置于衬底的一部分上，部分 覆盖所述阱的所述露出表面与所述基体区的所述凹表面；一漏极区，设置于 所述阱的另一部分中且未为所述栅堆叠物所覆盖，具有所述第二导电性；一 源极区，设置于所述基体区的一部分中，具有所述第二导电性；以及一基体 接触区，设置于所述基体区的另一部分中，具有所述第一导电性且邻近所述 源极区。 【专利类型】发明申请 【申请人】新唐科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810127254.4 【申请日】2008-06-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621072A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/423; H01L29/08; H01L27/04; H01L21/336; H01L21/28; H01L21/8234; H01L29/66 【发明人】陈柏安 【主权项内容】1、一种半导体装置，适用于高电压操作，其特征在于，所述装置包括： 一衬底，具有一第一导电性； 多个隔离结构，设置于所述衬底的表面； 一阱，设置于所述隔离结构间的所述衬底内，具有相反于所述第一导电 性的一第二导电性以及一露出表面； 一基体区，设置于所述阱的一部分中，具有相同于所述衬底的所述第一 导电性以及一凹表面； 一栅堆叠物，设置于所述衬底的一部分上，部分覆盖所述阱的所述露出 表面与所述基体区的所述凹表面； 一漏极区，设置于所述阱的另一部分中且未为所述栅堆叠物所覆盖，具 有所述第二导电性； 一源极区，设置于所述基体区的一部分中，具有所述第二导电性；以及 一基体接触区，设置于所述基体区的另一部分中，具有所述第一导电性 且邻近所述源极区。。 【当前权利人】新唐科技股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】4 【被自引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】4
