【摘要】 本发明提供一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括：一基底； 一绝缘埋层，形成于该基底内；至少一深沟渠绝缘结构，形成于该绝缘埋层 上；以及一深沟渠接触结构，形成于所述这些深沟渠绝缘结构之间，且该深 沟渠接触结构与于位于该绝缘埋层下的该基底电性连接。包含未掺杂的多晶 硅的绝缘材料，其可缓冲由于外延层与包含氧化物的衬垫层彼此之间的晶格 差异度大，而在接合界面处产生的应力，因此能够提升元件的稳定性及其功 效。深沟渠接触结构可利用形成与元件电性连接的接触插塞的工艺予以形成， 因此深沟渠接触结构可与接触插塞以相同的工艺同时形成，而不需要进行额 外的工艺步骤，因此能达到降低成本的目的。。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810131572.8 【申请日】2008-07-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630680A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101630680B 【授权公告日】2015-12-16 【授权公告年份】2015.0 【发明人】张睿钧 【主权项内容】1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括： 一基底； 一绝缘埋层，形成于所述基底内； 至少一深沟渠绝缘结构，形成于所述绝缘埋层上；以及 一深沟渠接触结构，形成于所述这些深沟渠绝缘结构之间，且所述深沟 渠接触结构与于位于所述绝缘埋层下的所述基底电性连接。。： 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】5 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】5
