【摘要】 本发明公开了属于校对设备温度均匀性技术领域的一种校对真空设备温度均匀性的方法。将测温区划分成小区域；选择一种金属，制备标准试样；将标准试样放置在加热器中待测区域内，抽真空，加热，当观察到标准试样熔化时，读取热电偶示数T1，随后将标准试样冷却；设定升温速率，观察标准试样状态，当标准试样熔化时读取热电偶示数T0；将标准试样放置在其他待测区域内，设定升温速率，读取热电偶读数，得到设备温度偏差。本发明将测温区域划分成若干小区域，然后利用晶体熔点固定这一晶体物理特性，分别测量每个小区域晶体标准试样熔点的方法，提供一种准确校对真空设备温度均匀性的方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810246545.5 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101762340A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101762340B 【授权公告日】2011-11-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G01K7/02 【发明人】古宏伟; 屈飞; 杨发强; 杜风贞 【主权项内容】一种校对真空设备温度均匀性的方法，其特征在于，该方法步骤如下，(1)将测温区划分成小区域；(2)选择一种金属，制备直径为5～10mm、厚度为0.5～1mm的标准试样；(3)将标准试样放置在加热器中待测区域内，抽真空，背底真空达到5.0×10-3Pa时，以20～40℃/s的升温速率加热，通过观察窗观察标准试样状态变化，当观察到标准试样熔化时，读取热电偶示数T1，随后将标准试样冷却；(4)设定升温速率，先以20～40℃/s的升温速率升温至T1以下30℃，然后以1℃/s的升温速率升温，观察标准试样状态，当标准试样熔化时读取热电偶示数T0；(5)将标准试样放置在划分的其他区域内，重复步骤(4)，读取热电偶读数，得到设备温度偏差。 【当前权利人】有研工程技术研究院有限公司 【当前专利权人地址】北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3
