【摘要】 基于铁电PZT膜面内极化工作的硅微压电传声器及其制备方法属于硅微压电传 声器技术领域，其特征在于：硅微压电传声器由从上到下依次放置的电极、面内极化 的铁电PZT膜层、氧化锆过渡层、振动膜层、高温二氧化硅圆形倒模层、体硅刻蚀方 杯和体硅刻蚀掩模层组成。所述的微传声器的振动膜层的工作区域为圆形结构，PZT 膜及电极构成的电容位于微传声器振动膜圆形工作区域的中心或边缘，PZT膜的图形 为圆形或环形，电极图形为具有相同圆心的圆形叉指结构。采用本发明所述的面内极 化的PZT膜工作的硅微压电传声器，不需沉积PZT膜的底电极，简化了工艺，通过改 变PZT膜和叉指电极在振动膜圆形工作区域上的位置、叉指电极间距大小可明显提高 压电微传声器的灵敏度。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院声学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190北京市海淀区北四环西路21号中国科学院声学研究所 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810227949.X 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101646115A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101646115B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【发明人】刘梦伟; 汪承灏; 李俊红 【主权项内容】1、一种基于铁电PZT膜面内极化工作的硅微压电传声器，其特征在于，其由从 上至下依次放置的电极、面内极化的铁电PZT膜层、氧化锆过渡层、振动膜层、高温 二氧化硅圆形倒模层、体硅刻蚀方杯和体硅刻蚀掩模层组成； 所述振动膜层为氮化硅膜层、低温二氧化硅膜层或为由氮化硅膜和低温二氧化硅 膜构成的复合膜层；所述低温二氧化硅膜中的低温二氧化硅是采用等离子体增强化学 气相沉积法制备的二氧化硅； 所述高温二氧化硅圆形倒模层中心处设有中心圆孔，该高温二氧化硅圆形倒模层 的高温二氧化硅是采用热氧化法制备的二氧化硅； 所述振动膜中心处的圆形工作区域直径与所述高温二氧化硅圆形倒模层中心处 的中心圆孔直径相同； 所述体硅刻蚀掩模层中心处设有中心方孔； 所述面内极化的铁电PZT膜层及电极构成的电容位于所述振动膜的圆形工作区 域的中心或边缘；所述面内极化的铁电PZT膜层为圆形膜层或环形膜层，所述电极为 具有相同圆心的圆形叉指结构的电极； 所述体硅刻蚀方杯下表面中心处设有与所述体硅刻蚀掩模层的中心方孔尺寸相 同的方形孔，体硅刻蚀方杯上表面中心处设有中心方形孔，该中心方形孔对角线长度 小于所述中心圆孔的直径。 【当前权利人】中国科学院声学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区北四环西路21号中国科学院声学研究所 【统一社会信用代码】12100000400883447M 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
