【摘要】 一种制备浸润性可控的氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法，属于纳米材料领域。本发明是采用醋酸锌溶胶通过甩胶工艺在基底上制备胶膜，退火后生成晶种膜，将基底置于硝酸锌和六亚甲基四氨的混合前驱液中，于90～100℃水热沉积3～5h，可在基底上制备得到氧化锌纳米棒阵列。同时，通过控制胶体浓度，甩胶次数，退火温度和时间，不但实现了氧化锌纳米棒阵列密度的可控，以及阵列浸润性的可控，而且克服了阵列浸润性不稳定的问题。 微信 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810056547.8 【申请日】2008-01-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101219804B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101219804B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01G9/02 【发明人】郭敏; 马腾; 张梅 【主权项内容】 。一种制备浸润性可控的氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法，包括胶体合成、甩胶、胶膜退火、前驱液制备、水热合成等步骤，其特征在于，制备过程为：1)胶体合成：将醋酸锌溶解到乙醇胺和乙二醇独甲醚中，形成混合液，保持胶体中醋酸锌和乙醇胺等摩尔比，将混合液于40～80℃磁力搅拌20～60min，得到胶体浓度范围为1～0.0001mol/L的胶体；2)甩胶工艺：将胶体滴到ITO基底上，然后以2000～4000r/min的甩胶速度甩胶20～60s，在ITO的基底上形成一层胶膜；3)退火处理：将带有胶膜的基底放置在马弗炉中退火，退火温度300～700℃，退火时间5～60min，形成氧化锌晶种膜；4)前驱液制备：将0.1mol/L的Zn(NO3)2溶液和0.1mol/L的(CH2)6N4以等体积混合，得到Zn(NO3)2和(CH2)6N4的混合溶液；5)水热合成：反应釜装填度50～80％，将带有氧化锌晶种层的基底浸入前驱液，密封好后放置在烘箱中于90～100℃水热沉积3～5h，在ITO基底上制备出氧化锌纳米棒阵列。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【家族被引证次数】27
