【摘要】 一种铜核层多层封装基板的制作方法，是从铜核基板为基础，开始制作单面、多层封装基板。本发明封装基板的特色在于具有高密度增层线路以提供电子组件相连时所需的绕线，同时并以铜板提供足够的刚性使封装制程可更为简易。待封装制程完成后，移除全部的铜核基板，则可使其电性独立并显露出球侧图案阻障层。藉此，使用本发明所制造的多层封装基板，可依实际需求形成具铜核基板支撑的铜核层多层封装基板，不仅可制作出超薄的封装结构，并且亦可有效达到改善超薄核层基板板弯翘问题、简化传统增层线路板制作流程及降低成品板厚的目的。。 【专利类型】发明授权 【申请人】钰桥半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北市松山区延寿街10号1楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810305415.4 【申请日】2008-11-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101436551B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101436551B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/48; H05K3/46 【发明人】林文强; 王家忠; 陈振重 【主权项内容】一种铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：至少包含下列步骤：(A)提供铜核基板；(B)分别于该铜核基板的第一面上形成第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上形成数个第一开口，并显露其下该铜核基板的第一面；(C)于数个第一开口中形成数金属层，以形成球侧电性接垫；(D)移除该第一阻层及该第二阻层；(E)于该铜核基板的第一面上形成第一介电层及第一金属层；(F)于该第一金属层及该第一介电层上形成数个第二开口，并显露其下的球侧电性接垫；(G)于数个第二开口中以及该球侧电性接垫与该第一金属层上形成第二金属层；(H)分别于该第二金属层上形成第三阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第四阻层，于其中，该第三阻层上形成数个第三开口，并显露其下的第二金属层；(I)移除该第三开口下方的第二金属层及第一金属层，并形成第一线路层；(J)移除该第三阻层及该第四阻层，至此，完成具有铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基板；(L)于该单层增层线路基板上进行线路增层结构制作，于其中，在该第一线路层及该第一介电层上形成第二介电层，并且在该第二介电层上形成数个第五开口，以显露其下的第一线路层，接着于该第二介电层与数个第五开口表面形成第一晶种层，再分别于该第一晶种层上形成第六阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第七阻层，并于该第六阻层上形成数个第六开口，以显露其下的第一晶种层，之后于该第六开口中已显露的第一晶种层上形成第三金属层，最后移除该第六阻层、该第七阻层及该第一晶种层，以在该第二介电层上形成第二线路层，至此，完成具有铜核基板支撑并具电性连接的双层增层线路基板，并继续本步骤(L)增加线路增层结构，形成具更多层的封装基板；(K)于该单层增层线路基板上进行置晶侧线路层制作，于其中，在该第一线路层表面形成第一防焊层，并且在该第一防焊层上形成数个第四开口，以显露该第一线路层作为电性连接垫的部分；接着于该铜核基板第二面上形成第五阻层，并于数个第四开口中形成第一阻障层，最后再移除该第五阻层，至此，完成具有完整图案化的置晶侧线路层与已图案化但仍完全电性短路的球侧线路层；(M)于该双层增层线路基板上完成含封胶体的封装制程后，移除该铜核基板，并显露出预埋的数金属层，以形成球侧电性接垫。 【当前权利人】钰桥半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北市松山区延寿街10号1楼 【家族引证次数】17.0 【家族被引证次数】71
