【摘要】 本发明提供了一种在半导体集成电路中的内连结构的形成方法。本发明的 内连结构的形成方法通过双镶嵌工艺形成内连导线与介层物，包括：于一基板 的表面上形成一介层物介电层；形成一蚀刻停止层于该介层物介电层之上；图 案化该蚀刻停止层，以形成多个穿透该蚀刻停止层内的开口；形成一沟槽介电 层于经图案化的该蚀刻停止层之上；于该沟槽介电层内形成多个沟槽开口，所 述多个沟槽开口分别位于该蚀刻停止层内的所述多个开口上；以及穿透该沟槽 介电层内与该蚀刻停止层内的所述多个开口而于该介层物介电层内形成多个 介层物开口。本发明免除了起因于介层物与沟槽硬掩模间的误对准情形所造成 的金属桥接/断路等问题。避免了高深宽比蚀刻开口所遭遇问题。。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810176070.7 【申请日】2008-11-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635272A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【发明人】陈能国; 曾国华; 蔡正原 【主权项内容】1.一种内连结构的形成方法，包括： 于一基板的表面上形成一介层物介电层； 形成一蚀刻停止层于该介层物介电层之上； 图案化该蚀刻停止层，以形成多个穿透该蚀刻停止层内的开口； 形成一沟槽介电层于经图案化的该蚀刻停止层之上； 于该沟槽介电层内形成多个沟槽开口，所述多个沟槽开口分别位于该蚀 刻停止层内的所述多个开口上；以及 穿透该沟槽介电层内与该蚀刻停止层内的所述多个开口而于该介层物 介电层内形成多个介层物开口。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】7 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】52
