【摘要】 本发明公开了一种制作半导体电容元件的方法，其包含有提供一基底；在该基底上形成一碳电极层；进行一第一原子层沉积工艺，在该碳电极层的表面沉积一中间过渡阻障层；进行一第二原子层沉积工艺，在该中间过渡阻障层上沉积一金属氧化层，其中在沉积金属氧化层的过程中，该金属氧化层与该中间过渡阻障层反应使得该金属氧化层和该中间过渡阻障层转化为一电容介电层；以及在该电容介电层上形成一电容上电极。 【专利类型】发明授权 【申请人】南亚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810125461.6 【申请日】2008-06-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101604626B 【公开公告日】2010-12-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101604626B 【授权公告日】2010-12-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/02; H01L21/31 【发明人】黄才育; 聂鑫誉; 谢君毅 【主权项内容】一种制作半导体电容元件的方法，其特征在于，包含有：形成下电极层在基底上；进行第一沉积工艺，沉积中间过渡阻障层在该下电极层的表面；进行第二沉积工艺，沉积金属氧化层在该中间过渡阻障层上，其中在沉积金属氧化层的过程中，该金属氧化层与该中间过渡阻障层反应使得该金属氧化层和该中间过渡阻障层转化为电容介电层；以及形成电容上电极在该电容介电层上。 【当前权利人】南亚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】5
