【摘要】 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。首先，形成一第一氧化层及一氮化层于一衬底上，衬底具有一第一区域及一第二区域。氮化物层中包含有氮原子。其次，氧化氮化层。氮化层中一部分的氮原子移动至第一氧化层及衬底中，且氮化层的上部转化(convert)为一上氧化层。接着，移除对应于第二区域的上氧化层、氮化层及第一氧化层。再者，成长一第二氧化层于第二区域的衬底上。第二氧化层中包含有氮原子。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810096286.2 【申请日】2008-05-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101452890B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101452890B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/8247; H01L21/31; H01L27/115 【发明人】赖二琨; 施彦豪 【主权项内容】一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括：形成一第一氧化层及一氮化层于一衬底上，该衬底具有一第一区域及一第二区域，该第一区域是逻辑元件区，该第二区域是存储元件区，该氮化层中包含有氮原子；氧化该氮化层，该氮化层中一部分的氮原子移动至该第一氧化层及该衬底中，且该氮化层的上部转化为一上氧化层；移除对应于该第二区域的该上氧化层、该氮化层及该第一氧化层；以及成长一第二氧化层于该第二区域的该衬底上，该第二氧化层中包含有氮原子，该氮原子由位于第二区域的衬底移动至第二氧化层。。： 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】15.0 【家族被引证次数】2
