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抗干扰的电容检测装置及方法专利

发布时间:2026-06-19

【摘要】 一种抗干扰的电容检测装置,包括第一电容、第一充/放电电路、第二电容、第二充/放电电路以及检测电路。第二电容的电容值与第一电容的电容值相等。第一充/放电电路以及第二充/放电电路分别对第一电容和及第二电容进行充电/放电,其中,在同一时间周期,第一电容和第二电容进行相反的充电/放电操作。检测电路分别测量第一电容和第二电容以得到测量值,并累加该测量值。由于电磁等干扰同时影响第一电容和第二电容,因此将第一电容和第二电容的测量值相加,即可抵消干扰影响。 【专利类型】发明申请 【申请人】笙泉科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市公道五路二段83号7楼之1 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810173664.2 【申请日】2008-11-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101738542A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G01R27/26; G06F3/044; H03K17/975; G06F3/041; H03K17/94 【发明人】冯连兴 【主权项内容】一种抗干扰的电容检测装置,包括:一第一电容;一第一充/放电电路,其电性连接于所述第一电容,用来对所述第一电容进行充电/放电;一第二电容,其电容值与所述第一电容的电容值相等;一第二充/放电电路,其电性连接于所述第二电容,用来对所述第二电容进行充电/放电,其中,在同一时间周期内,所述第一电容与所述第二电容进行相反的充电/放电操作;以及一检测电路,其与所述第一电容和所述第二电容电性连接,用来分别测量所述第一电容和所述第二电容以得到测量值,并累加所述测量值。 【当前权利人】笙泉科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市公道五路二段83号7楼之1 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4

  • 【摘要】本发明关于一种晶背的封装结构,所述包括一半导体基材以及一多层结构层,所述多层结构层设置于所述半导体基材的底部,且是由多晶硅层以及绝缘层(如二氧化硅层)所组合而成;通过本发明的多层结构,能够促进吸杂效果、有效防止自动掺杂,改善毛边现象
  • 【摘要】一种定位信息的更新方法、系统与所使用的计算机程序产品。首先, 检测无线通信装置周围多个信号源的信号强度值与识别信息,这些信号源 包括至少一个已知信号源与至少一个未知信号源。接着,查询定位位置表 格,以找出各个已知信号源的识别信息所对
  • 【摘要】本发明的实施例提供了一种电路板的制造方法,其包含下列步骤:提供 一核心层,其包含一第一介电层及第一及第二金属层;将一贯穿孔形成于该 核心层中;将该核心层配置于一支撑板上,且将一内埋元件置放于该贯穿孔 中,其中该第二金属层接触于该支撑
  • 【摘要】本发明披露一晶片发光结构及其制造方法。该晶片发光结构包含一支持 基板;一抗形变层,位于该支持基板之上;一粘结层,位于该抗形变层之上; 以及一发光叠层,位于该抗形变层之上,其中该粘结层连接该抗形变层与该 发光叠层;其中该晶片发光结构经
  • 【摘要】一种辐射式电解槽的延缓积钙结构,包括座体、阴极导电体、绝缘轴柱、阳极电极板、阴极电极板、螺帽、盖体以及水接头,座体中心设有进出水隔管,阳极电极板中心设有进水口,进出水隔管内部穿设阴极导电体,螺帽在阴极导电体上端锁固阴极电极板,座体周
  • 【摘要】本发明提供一种半导体装置,包括:一衬底;一漏极区,位于所述衬底 中,其中所述漏极区为一封闭环状以在所述衬底中定义一封闭区域;一栅极 结构,位于所述封闭区域上,其中所述栅极结构具有一第一侧边及相对于所 述第一侧边的一第二侧边;一第一源