【摘要】 本发明提供一种半导体装置，包括：一衬底；一漏极区，位于所述衬底 中，其中所述漏极区为一封闭环状以在所述衬底中定义一封闭区域；一栅极 结构，位于所述封闭区域上，其中所述栅极结构具有一第一侧边及相对于所 述第一侧边的一第二侧边；一第一源极区，位于邻近所述栅极结构第一侧边 的封闭区域中；以及一隔离结构，位于所述第一源极区及所述漏极区之间。 【专利类型】发明申请 【申请人】新唐科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810166357.1 【申请日】2008-09-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685832A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L29/66; H01L29/02 【发明人】陈柏安 【主权项内容】1.一种半导体装置，其特征在于，该装置包括： 一衬底； 一漏极区，位于所述衬底中，其中所述漏极区为一封闭环状以在所述衬 底中定义一封闭区域； 一栅极结构，位于所述封闭区域上，其中所述栅极结构具有一第一侧边 及相对于所述第一侧边的一第二侧边； 一第一源极区，位于邻近所述栅极结构第一侧边的封闭区域中；以及 一隔离结构，位于所述第一源极区及所述漏极区之间。 【当前权利人】新唐科技股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3
