【摘要】 一种磁性存储器、磁性存储器的驱动方法及磁性存储器的制造方法。磁性存储器包括多条导线结构、多个第一磁性金属结构、第二磁性金属结构及绝缘层。各个第一磁性金属结构配置于两相邻的导线结构之间，而第二磁性金属结构跨越导线结构。第一磁性金属结构与第二磁性金属结构所构成的结构包括多个彼此相连的磁性存储单元。每一磁性存储单元具有磁区及紧邻磁区的磁壁，其中磁区适于储存位元数据。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810184705.8 【申请日】2008-12-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101771067A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101771067B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L27/22; H01L21/82; G11C11/02; G11C19/02 【发明人】蔡庆祥 【主权项内容】一种磁性存储器，包括：多条导线结构，配置于基板上，所述导线结构彼此不相交；多个第一磁性金属结构，配置于所述基板上，其中所述第一磁性金属结构分别配置于两相邻的导线结构之间；第二磁性金属结构，配置于所述基板上，覆盖所述导线结构以及所述第一磁性金属结构，并跨越所述导线结构，其中所述第一磁性金属结构以及所述第二磁性金属结构所构成的结构包括多个彼此相连的磁性存储单元，每一磁性存储单元具有磁区以及紧邻所述磁区的磁壁，所述磁区适于储存位元数据；以及绝缘层，配置于所述导线结构与所述第一磁性金属结构之间，且配置于所述导线结构与所述第二磁性金属结构之间。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0
