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双频指向性天线专利

发布时间:2026-06-17

【摘要】 本发明提供一种双频指向性天线,其包含一正面基板、一背面基板和一隔离基板。该隔离基板用以隔离该正面基板和该背面基板。该正面基板包含一第一辐射元件、一第二辐射元件和一连接部。该第一辐射元件的结构对称于该第二辐射元件。该第一辐射元件的局部面积挖空以形成一形状约呈直角三角形的挖空部。本发明的双频指向性天线相比于传统900MHz的天线具有相当的面积优势,而依然能在902至928MHz以及2.45GHz两频段具有良好的发射效率。并且,本发明的双频指向性天线相当适合应用于射频辨识系统。。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810180151.4 【申请日】2008-12-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752654A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752654B 【授权公告日】2013-03-13 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01Q1/38; H01Q5/00; H01Q13/00; H01Q5/20 【发明人】陈慧娟; 陈一锋; 洪碧涓; 彭嘉美; 田永平; 陈国清 【主权项内容】: 。一种双频指向性天线,其特征在于,包含:一正面基板;一背面基板;以及一隔离基板,用以隔离该正面基板和该背面基板;其中该正面基板包含:一第一辐射元件,其具有第一边至第四边,该第一边至第三边约呈垂直,该第四边的两端点分别为一第一顶点和一第二顶点,该第四边先自该第一顶点向内延伸至一第一中点,再自该第一中点向该第二顶点的方向延伸至一第二中点,并由该第二顶点向外延伸至一第三中点,再由该第三中点延伸至该第二顶点,其中由该第二中点向第二顶点的延伸方向形成一挖空部,该挖空部的形状约呈直角三角形;一第二辐射元件,相邻于该第一辐射元件,且其结构和该第一辐射元件相对称;以及一连接部,连接该第一辐射元件的第一顶点至该第二辐射元件的第一顶点。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】1

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  • 【摘要】本发明提供一种微机电系统封装构造的制造方法,是于一硅晶片的上、下表面形成数个凹部,并将微机电系统晶片与硅晶片接合,使微机电系统晶片上芯片的主动区域容纳于下凹部内,再从硅晶片的上凹部将两晶片的组合体分割,从而得到各个受有下凹部保护的微
  • 【摘要】本发明受重金属或戴奥辛污染的废弃物或土壤的处理方法,利用微波辅助酸消化法或酸消化法(当微波功率为零时),将受重金属或戴奥辛污染的废弃物或土壤与酸液混和,利用微波辅助以破坏废弃物或土壤中的戴奥辛,同时将更多的重金属溶出于酸液中,达到去