【摘要】 本发明在提供一种编程非易失性存储器的方法。此方法包括：施加至少 电压于源极或漏极，以使于源极或漏极中的载流子由源极或漏极注入至基板 中；以及施加第三电压于栅极或基板，以使基板中的载流子具有足够的能量 越过氧化层的势垒，以到达电荷储存元件。 【专利类型】发明申请 【申请人】宏碁股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810137734.9 【申请日】2008-07-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630530A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101630530B 【授权公告日】2013-09-04 【授权公告年份】2013.0 【发明人】张鼎张; 陈世青; 简富彦 【主权项内容】1.一种编程非易失性存储器的方法，该非易失性存储器具有设置于基板 上的源极、漏极、电荷储存元件、存在于该基板与该电荷储存元件间的氧化 层以及栅极，该方法包括： 施加至少一电压于该源极或该漏极，以使于该源极或该漏极中的载流子 由源极与漏极注入至该基板中；以及 施加第三电压于该栅极或该基板，以使该基板中的该载流子具有足够的 能量越过该氧化层的势垒，以到达该电荷储存元件。 【当前权利人】宏碁股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县 【被引证次数】1 【家族被引证次数】1
