【摘要】 本发明提供一种半导体芯片及其制造方法，上述半导体芯片包含安装于封装基板的芯片。芯片包含：半导体基板；多个金属层间介电质层，位于半导体基板上；多个金属互连层，其中每一金属互连层上形成至少两个等电位金属线；保护层，覆盖上述至少两个等电位金属线，其中保护层内形成两个开孔，以暴露上述至少两个等电位金属线中每一等电位金属线的一部分；导电构件，在外部安装于保护层上的上述两个开孔之间；以及再分布层，于上述导电构件之上形成。本发明提供的改进的半导体芯片以及芯片封装，能够减少半导体芯片的局部电压降并且增进其热性能。 【专利类型】发明授权 【申请人】联发科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810190534.X 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101477971B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101477971B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/485; H01L21/60 【发明人】饶哲源; 张圣明; 李锦智 【主权项内容】一种半导体芯片，其特征在于，上述半导体芯片包含：封装基板；以及集成电路芯片，安装于上述封装基板的第一表面，上述集成电路芯片包含：半导体基板；多个金属层间介电质层，位于上述半导体基板上；金属互连层的多个层，位于上述金属层间介电质层内，其中上述金属互连层中的一个层上形成至少两个等电位金属线；保护层，覆盖上述至少两个等电位金属线，其中上述保护层内形成两个开孔，以暴露上述至少两个等电位金属线中每一等电位金属线的一部分；导电构件，在外部安装于上述保护层上的上述两个开孔之间；以及再分布层，于上述导电构件之上形成，其中上述再分布层填充至上述两个开孔，使得上述等电位金属线经由上述再分布层与上述导电构件彼此电性连接。 （，） 【当前权利人】联发科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】13
