【摘要】 本发明公开了一种移位缓存器，其包含多个以串联方式连接的移位缓存单元。每一移位缓存单元包含提升电路、提升驱动电路以及下拉电路。提升电路用来提供输出信号。提升驱动电路包含控制电路以及第一晶体管。控制电路的栅极耦接于前一级的移位缓存单元的提升电路的输入节点，控制电路的漏极耦接于第二频率信号。第一晶体管的栅极耦接于控制电路的源极，第一晶体管的漏极耦接于前一级移位缓存单元的驱动信号端，第一晶体管的源极耦接于输入节点。下拉电路用来提供该提升电路的输入节点的电压至电源电压。本发明可增加晶体管特性飘移的抵抗能力。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810161256.5 【申请日】2008-09-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101364446B 【公开公告日】2010-08-18 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101364446B 【授权公告日】2010-08-18 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C19/00; G09G3/36 【发明人】陈文彬; 张立勋; 许哲豪 【主权项内容】一种移位缓存器，其特征在于，包含：多个移位缓存单元，该多个移位缓存单元以串联的方式连接，每一移位缓存单元包含：一提升电路耦接于一第一频率信号，用来提供一输出信号；一提升驱动电路，耦接于该提升电路，其包含：一控制电路，该控制电路包含一第一输入端、一第二输入端以及一第三输出端，该控制电路的该第一输入端耦接于前一级的移位缓存单元的提升电路的一输入节点，该控制电路的该第二输入端耦接于一第二频率信号；以及一第一晶体管，该第一晶体管的栅极耦接于该控制电路的该第三输出端，该第一晶体管的漏极耦接于该每一移位缓存单元的前一级移位缓存单元的一驱动信号端，该第一晶体管的源极耦接于该提升电路的一输入节点；以及一下拉电路，用来提供该提升电路的输入节点的电压至一电源电压。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】19
