【摘要】 本发明是关于一种静电放电防护装置，所述的静电放电防护装置包括硅控整流器以及静电放电检测电路。硅控整流器耦接于高电压源与接地之间。静电放电检测电路用以检测是否发生静电放电事件。当静电放电检测电路检测到静电放电事件发生时，静电放电检测电路提供第一电压与第二电压至硅控整流器，以使硅控整流器提供第一放电路径。本发明提供的静电放电防护装置不受限于栓锁问题，能在低操作电压的应用下保护集成电路。 【专利类型】发明授权 【申请人】联发科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810108869.2 【申请日】2008-05-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101315929B 【公开公告日】2010-09-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101315929B 【授权公告日】2010-09-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/02 【发明人】庄健晖 【主权项内容】一种静电放电防护装置，其特征在于，所述的静电放电防护装置包括：一硅控整流器，包括：一基底；一第一掺杂区，形成在所述的基底且包围一主动区，其中，所述的第一掺杂区耦接一第一节点；一第一MOS晶体管结构，位于所述的主动区的内部，包括：一第二掺杂区，形成在所述的基底且包括第一部分与第二部分，其中，所述的第二掺杂区耦接所述的第一节点；一第三掺杂区形成在所述的基底；以及一第一栅极，形成在所述的基底，且介于所述的第二掺杂区的第二部分与所述的第三掺杂区之间；一第二MOS晶体管结构，位于所述的主动区的内部，包括：一第四掺杂区，形成在所述的基底且包括第一部分与第二部分，其中，所述的第四掺杂区耦接一第二节点；一第五掺杂区，形成在所述的基底；以及一第二栅极，形成在所述的基底，且介于所述的第四掺杂区的第一部分与所述的第五掺杂区之间；其中，所述的第三掺杂区接近所述的第四掺杂区的第二部分，且所述的第五掺杂区接近所述的第二掺杂区的第一部分；一第六掺杂区，形成在所述的基底，且在所述的第一与所述的第二MOS晶体管结构的一侧，其中，所述的第六掺杂区耦接所述的第二节点；以及一第一井区，位于所述的主动区的内部，且形成在所述的基底，其中，所述的第一井区在部分的所述的第三掺杂区、部分的所述的第五掺杂区、所 述的第四掺杂区、以及所述的第六掺杂区之下。 【当前权利人】联发科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【家族被引证次数】7
