【摘要】 本发明披露一晶片发光结构及其制造方法。该晶片发光结构包含一支持 基板；一抗形变层，位于该支持基板之上；一粘结层，位于该抗形变层之上； 以及一发光叠层，位于该抗形变层之上，其中该粘结层连接该抗形变层与该 发光叠层；其中该晶片发光结构经一薄化工艺产生的一形变高度不超过约该 晶片发光结构的一厚度的10倍，其中该形变高度为该晶片发光结构的下表 面与侧边的一交界处至发光结构的一下表面几何中心点的高度差，该厚度为 该晶片发光结构的该下表面几何中心点至发光结构的一上表面几何中心点 的高度差。抗形变层可减少或消除支持基板被薄化后所产生的变形，例如翘 曲。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810144994.9 【申请日】2008-08-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656281A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656281B 【授权公告日】2011-04-06 【授权公告年份】2011.0 【发明人】陶青山; 徐子杰; 王振奎 【主权项内容】1、一种用于制造一晶片发光结构的方法，包含： 提供一支持基板； 形成一抗形变层于该支持基板之上； 提供一成长基板； 形成一发光叠层于该成长基板之上； 形成一粘结层于该抗形变层与该发光叠层之间； 进行一接合工艺，通过该粘结层接合该发光叠层与该抗形变层；以及 薄化该支持基板，其中该晶片发光结构于薄化后产生一形变高度最大约 为该晶片发光结构的一厚度的10倍，其中该形变高度为该晶片发光结构的 下表面与一侧边的一交界处至一下表面几何中心点的高度差，该厚度为该晶 片发光结构的该下表面几何中心点至该晶片发光结构的一上表面几何中心 点的高度差。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
