【摘要】 本发明关于一种晶背的封装结构，所述包括一半导体基材以及一多层结构层，所述多层结构层设置于所述半导体基材的底部，且是由多晶硅层以及绝缘层(如二氧化硅层)所组合而成；通过本发明的多层结构，能够促进吸杂效果、有效防止自动掺杂，改善毛边现象，并节省工艺成本，且通过此种结构易于调整硅基板的弓形度(bow)及翘曲度(warp)。。 【专利类型】发明申请 【申请人】合晶科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾桃园县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810178155.9 【申请日】2008-11-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740525A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740525B 【授权公告日】2012-10-17 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L23/00 【发明人】吴俊泰; 邱恒德 【主权项内容】一种晶背的封装结构，其特征在于，所述晶背的封装结构包括：一半导体基材；一多层结构层，设置于所述半导体基材的底部，且是由至少一保护层以及至少一绝缘层所组合而成。 【当前权利人】合晶科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县 【专利权人类型】股份有限公司(非上市) 【统一社会信用代码】91320900MA1YHM5JX9 【引证次数】3.0 【被引证次数】23 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【被他引次数】23.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】23
