【摘要】 一种存储器读取方法，适用于读取两个以上的磁性隧道结装置，磁性隧道结装置与选择晶体管串联而形成存储器串列，上述存储器读取方法包括导通选择晶体管，测量存储器串列的第一阻抗值，存储第一阻抗值，在磁性隧道结装置之一的既定磁性隧道结装置执行交替切换步骤，在执行交替切换步骤后，测量存储器串列的第二阻抗值，将第一阻抗值以及第二阻抗值与多个既定阻抗值做比较而得到比较结果，以及在测量第二阻抗值后对既定磁性隧道结装置执行交替切换回复步骤，而比较结果用以判断存储在存储器单元的数据。本发明可以实现独立存取各存储单元且减少了元件的数量，从而简化存储器的生产工艺并且降低生产成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810161095.X 【申请日】2008-09-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101404178B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101404178B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C11/16 【发明人】庄建祥; 邓端理; 薛福隆 【主权项内容】一种存储器装置，通过一半导体制造工艺制造，包括：多个随机存取存储器单元以及与上述随机存取存储器单元串联的一选择晶体管，上述随机存取存储器单元与上述选择晶体管形成一存储器串列，各上述随机存取存储器单元交替切换于至少二稳态阻抗级以分别代表至少二逻辑状态；一阻抗感测电路，耦接于上述存储器串列，用以测量上述存储器串列所对应的阻抗级；一地址解码器，耦接于上述选择晶体管的一栅极，用以选择性将上述存储器串列耦接至上述阻抗感测电路；一交替切换控制电路，用以在执行一第一测量以取得上述存储器串列所对应的阻抗级后选择性对上述随机存取存储器单元的至少一执行交替切换步骤，并在执行一第二测量以取得上述存储器串列所对应的阻抗级后对至少一上述随机存取存储器单元执行交替切换回复步骤；一感测放大器，耦接在上述阻抗感测电路以及上述交替切换控制电路，并用以将上述第一测量以及上述第二测量的测量结果与多个既定值做比较，并输出一比较结果；以及一数据暂存器，根据上述比较结果判断存储在上述存储器串列的数据。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】37
