【摘要】 本发明提供一半导体集成电路装置及其制造方法，其可选择性对第一与第二晶体管的沟道施加应力。其中一第一晶体管的栅极结构包括一应力源，其在第一晶体管的沟道中产生应力，且一第二晶体管的栅极结构与一材料层接触，而材料层在第二晶体管的沟道中产生应力。通过本发明的半导体集成电路装置及其制造方法能够对晶体管沟道施加所需的张应力或压应力。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810083369.8 【申请日】2008-03-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101350352B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101350352B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/088; H01L27/092; H01L21/8234; H01L21/8238 【发明人】柯志欣; 李文钦; 葛崇祜; 陈宏玮 【主权项内容】一种半导体集成电路装置，包括：一半导体基底；一第一晶体管，其包括一第一阱形成于该半导体基底中以及一第一栅极结构位于该半导体基底上且延伸离开该半导体基底，其中该第一栅极结构包括一第一栅极电极在该第一阱上，且该第一栅极结构还包括一应力源，其产生一第一应力于该第一阱中，且该第一栅极电极介于该应力源与半导体基底之间；一第二晶体管，其包括一第二阱形成在该半导体基底中以及一第二栅极结构于该半导体基底上且延伸离开该半导体基底，其中该第二栅极结构包括一第二栅极电极在该第二阱上，且该第二栅极结构比该第一栅极结构高；以及一材料层，其与该第一栅极结构及该第二栅极结构接触，该材料层产生一第二应力于该第二阱中，且该第二应力的型式与该第一应力相反。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】20
