【摘要】 本发明公开了一种抵消电迁移的方法如下所述，此抵消电迁移的方法适用于一芯片封装体中的焊点结构。首先，提供一芯片封装体，芯片封装体包括一线路板、一芯片以及多个焊点结构。其中芯片配置于线路板上，焊点结构配置于线路板与芯片之间，并电性连接芯片与线路板。然后，于焊点结构的一侧交替施加一第一电流与一第二电流，其中第一电流与第二电流方向相反，第一电流与第二电流的电流密度皆为104A/cm2。 【专利类型】发明授权 【申请人】元智大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】中国台湾桃园县中坜市远东路135号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810095528.6 【申请日】2008-04-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101567325B 【公开公告日】2010-08-18 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101567325B 【授权公告日】2010-08-18 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/60 【发明人】何政恩; 巫维翔 【主权项内容】一种抵消电迁移的方法，适用于一芯片封装体中的焊点结构，包括：提供一芯片封装体，该芯片封装体包括一线路板、一芯片以及多个焊点结构，其中该芯片配置于该线路板上，该些焊点结构配置于该线路板与该芯片之间并电性连接该芯片与该线路板；以及于该些焊点结构的一侧交替施加一第一电流与一第二电流，其中该第一电流与该第二电流方向相反，该第一电流与该第二电流的电流密度皆为104A/cm2。。微信 【当前权利人】元智大学 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县中坜市远东路135号 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】3
