【摘要】 本发明公开了一种提供静电放电防护及稳压电容的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法，应用于一芯片。该晶体管包含一P型基底、一导体层、一第一N型掺杂区、一第二N型掺杂区及N型阱，其利用导体层耦接于一接地端，第一N型掺杂区耦接于一电源端，一第二N型掺杂区耦接于一电源焊垫(VDD Pad)，使一芯片未安装或未运作时，可作为静电放电防护；当芯片运作时，导体层与第一N型掺杂区、第二N型掺杂区及N型阱形成一栅极电容做为电源端与接地端间的稳压电容，以达到充分利用的目的，可节省芯片的尺寸大小，进而降低成本。 数据由整理 【专利类型】发明授权 【申请人】瑞昱半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810005338.0 【申请日】2008-02-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101499489B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101499489B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L21/336 【发明人】陈逸琳 【主权项内容】一种提供静电放电防护及稳压电容的金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：一P型基底；一栅极氧化层，位于该P型基底的上方；一导体层，位于该栅极氧化层的上方，并耦接于一接地端；一第一N型掺杂区，位于该P型基底中及该栅极氧化层的一侧，且耦接于一电源端；一第二N型掺杂区，位于该P型基底中及该栅极氧化层的另一侧，且耦接于一电源焊垫；及一N型阱，位于该P型基底中，并位于该第一N型掺杂区与该第二N型掺杂区之间，且分别涵盖该第一N型掺杂区及该第二N型掺杂区的一侧。 【当前权利人】瑞昱半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学园区 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】1
