【摘要】 本发明是关于一种具应力区的金属氧化半导体结构，包含：一基底，具 有一第一组件区与一第二组件区；一应力区，位于该第一组件区与该第二组 件区内各包含有一第一部分及一第二部分；其中，该第一及第二部分产生的 应力不相同；一位障插塞，分隔该第一组件区与该第二组件区；一多个氧化 层间隔物，位于该第一部分与该位障插塞之间，并紧邻于该第一部分。由于 该应力区所产生的应力，使载子迁移率提升进而提高读取电流，而可用较低 的读取电压来达到原本所需的读取电流，进而降低压致漏电流发生的可能性 而使数据的保存性得以提高。 【专利类型】发明申请 【申请人】宜扬科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810146157.X 【申请日】2008-08-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101651140A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101651140B 【授权公告日】2011-05-11 【授权公告年份】2011.0 【发明人】陈宏玮; 吴怡德 【主权项内容】1.一种具应力区的金属氧化半导体结构，其特征在于，该金属氧化半导 体结构包含： 一基底，具有一第一组件区与一第二组件区； 一应力区，位于所述的第一组件区与所述的第二组件区内； 其中，所述的应力区在所述的第一及第二组件区内各包含有一第一部分 及一第二部分； 其中，所述的第一及第二部分产生的应力不相同； 一位障插塞，分隔所述的第一组件区与所述的第二组件区； 一多个氧化层间隔物，位于所述的第一部分与所述的位障插塞之间，并 紧邻于所述的第一部分。 ： 【当前权利人】宜扬科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
