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高频表面声波元件专利

发布时间:2026-06-18

【摘要】 本发明是一种高频表面声波元件,尤指一种可通过与制 造一低频表面声波元件相同的工艺设备及材料而制成的高频 表面声波元件。本发明的高频表面声波元件包括:一压电基 板;一高声速层,形成于此压电基板的表面,且此高声速层 的表面声波声速大于5000m/sec;一输入转换部;以及一输 出转换部;其中,此输入转换部与此输出转换部成对地设置 于此高声速层的表面或下方。此外,本发明的高频表面声波 元件的高声速层的材质较佳为氧化铝,其厚度较佳介于2μ m至20μm之间并较佳通过电子束蒸镀的方式形成于压电基 板的表面。 【专利类型】发明申请 【申请人】大同股份有限公司; 大同大学 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】台湾省台北市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810133907.X 【申请日】2008-07-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630947A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101630947B 【授权公告日】2012-04-18 【授权公告年份】2012.0 【发明人】施文钦; 黄瑞成 【主权项内容】1、一种高频表面声波元件,其特征在于包括: 一压电基板; 一高声速层,形成于该压电基板的表面,且该高声速层的表面声波 声速大于5000m/sec; 一输入转换部;以及 一输出转换部; 其中,该输入转换部与该输出转换部成对地设置于该高声速层的表 面。 【当前权利人】大同股份有限公司; 大同大学 【当前专利权人地址】中国台湾台北市; 中国台湾台北市中山区中山北路三段40号 【被引证次数】1 【家族被引证次数】1

  • 【摘要】本发明涉及一种半导体元件,包含有第一半导体芯片及第二半导体芯片。第一半导体芯片包含多个形成在外围区域的第一接合焊垫、多个形成在第一半导体芯片中央区域的重配层接垫,以及内连接第一接合焊垫以及重配层接垫的多条重配导线。第二半导体芯片叠设
  • 【摘要】本发明是一种电子装置的壳体,该电子装置的壳体包括一外壳、一内面板 及一外面板,该外壳的一端设有一开孔,该内面板固定至该外壳的一端位置, 该内面板上邻近其周缘的位置,设有至少一个卡合孔及一第一卡制部,该外面 板的内侧面且邻近其周缘的位
  • 【摘要】本发明公开一种电子元件壳体,包括本体及至少一端子。该本体具有至少一导槽部。该端子被导槽部限位固定于本体上,且端子与本体电连接。【专利类型】发明申请【申请人】台达电子工业股份有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】中国台湾桃园县【申请
  • 【摘要】一种承载装置包括底承载盘及顶承载盘。底承载盘具有底面及环绕底面的底环状凸起部,底环状凸起部具有第一顶表面及连接第一顶表面的第一侧壁。顶承载盘具有承载面及环绕承载面的顶环状凸起部,并通过顶环状凸起部套设于底环状凸起部上,顶环状凸起部具
  • 【摘要】本发明公开一种计算机自动执行方法及其计算机,其中计算机自动执行方 法,包括下列步骤:记录计算机于每次开机后的预定时间内所执行的操作命令, 其中操作命令为执行程序、开启文件或设定参数;当累积的操作命令次数超过 预定次数,将操作命令加入
  • 【摘要】本发明是关于一种用以消除共模突波干扰的主动负载主宰电路,其偏压于一第一电压和一第二电压之间,且一共模突波伴随其间。该主动负载主宰电路包括一对提升电路及一对主动负载电路。该共模突波是经由该对提升电路的对称结构而对消。至少一SET信号及