【摘要】 一种原子层沉积设备，其包括反应腔室、第一加热器、第一气体供应系统、第二加热器、第二气体供应系统及真空系统。真空系统连接至反应腔室。反应腔室包括预热腔室及连接至预热腔室的镀膜腔室。第一加热器用以加热预热腔室。第一气体供应系统连接至预热腔室。第二加热器用以加热镀膜腔室。第二气体供应系统连接至镀膜腔室。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810174825.X 【申请日】2008-11-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101736317A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C23C16/455; H01L31/18 【发明人】孙文檠; 钟允升; 蓝崇文 【主权项内容】一种原子层沉积设备，包括：反应腔室，包括：预热腔室；以及镀膜腔室，连接至该预热腔室；第一加热器，用以加热该预热腔室；第一气体供应系统，连接至该预热腔室；第二加热器，用以加热该镀膜腔室；第二气体供应系统，连接至该镀膜腔室；以及真空系统，连接至该反应腔室。 【当前权利人】财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县 【被引证次数】15 【被他引次数】15.0 【家族被引证次数】15
