【摘要】 本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法。该存储器包括方法：形成绝缘材料层于基板上；形成电荷储存材料层于该绝缘材料层上；形成多层隧穿介电材料于该电荷储存材料层上；形成栅极电极材料层于该多层隧穿介电材料上；以及蚀刻该绝缘材料层、该电荷储存材料层、该多层隧穿介电材料及该栅极电极材料层，以形成存储器结构。在该绝缘材料层形成前或形成后，进行等离子体氮化工艺，或者在含氮气体的环境中进行热氮化工艺。 （，） 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810002644.9 【申请日】2008-01-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101373711B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101373711B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/31; H01L21/336; H01L21/8247 【发明人】王嗣裕; 吕函庭 【主权项内容】一种非易失性存储器的制造方法，包括；(a)形成绝缘材料层于基板上；(b)形成电荷储存材料层于该绝缘材料层上；(c)形成多层隧穿介电材料于该电荷储存材料层上；(d)形成栅极电极材料层于该多层隧穿介电材料上；以及(e)蚀刻该绝缘材料层、该电荷储存材料层、该多层隧穿介电材料及该栅极电极材料层，以形成存储器结构，其中，在该绝缘材料层形成前或形成后，进行等离子体氮化工艺，或者在含氮气体的环境中进行热氮化工艺。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】20.0 【家族被引证次数】26
