【摘要】 本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法，包括：在一基底上依序地形成一叠层结构以及一消耗层；在该消耗层的周围区域进行一转变工艺以形成一第一绝缘层；移除该消耗层；以及在该叠层结构与该第一绝缘层上形成一导体层。利用本发明，能够避免因非易失性存储器中的单存储器的二位彼此互相影响而产生的问题，提升了存储器元件的可靠度。 【专利类型】发明申请 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN201010166209.7 【申请日】2008-05-08 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101819949A 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101819949B 【授权公告日】2012-07-11 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/8247; H01L27/115 【发明人】郭明昌 【主权项内容】一种非易失性存储器的制造方法，其特征在于，包括：在一基底上依序地形成一叠层结构以及一消耗层；在该消耗层的周围区域进行一转变工艺以形成一第一绝缘层；移除该消耗层；以及在该叠层结构与该第一绝缘层上形成一导体层。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】1.0 【被引证次数】2 【自引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
