【摘要】 本发明提供一种晶片薄化用的化学机械研磨浆液，其包含氧化硅磨料、碱性化合物、表面活性剂以及溶剂。本发明还涉及将上述化学机械研磨浆液用于研磨半导体晶片的晶背，且优选用于超薄半导体晶片制程中的方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】长兴开发科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810171864.4 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101735730A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C09G1/02; H01L21/304; C09G1/00; H01L21/02 【发明人】赖欣宜; 李康华; 刘文政 【主权项内容】一种化学机械研磨组合物，其包含碱性化合物、溶剂、氧化硅磨料以及表面活性剂。 【当前权利人】长兴开发科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄县 【引证次数】5.0 【被引证次数】6 【他引次数】5.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】6
