【摘要】 本发明揭示一种多阶式快闪存储器的制备方法，其包含形成具有电荷捕 陷层的介电堆叠于半导体基板上、形成具有凹部的绝缘结构于该电荷捕陷层 上、局部去除该凹部上的电荷捕陷层以将该电荷捕陷层分段以形成多个储存 节点、形成隔离这些储存节点的栅氧化物层、以及形成镶嵌栅极，其中该镶 嵌栅极包含填入该凹部的多晶硅层。 【专利类型】发明申请 【申请人】茂德科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810169127.0 【申请日】2008-10-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673713A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673713B 【授权公告日】2011-11-23 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/8247; H01L21/336; H01L21/28 【发明人】潘建尉; 何明佑; 钟志平 【主权项内容】1.一种多阶式快闪存储器的制备方法，包括： 形成介电堆叠于半导体基板上，该介电堆叠包含电荷捕陷层； 形成绝缘结构于该电荷捕陷层上，该绝缘结构包含凹部； 局部去除该凹部上的电荷捕陷层以将该电荷捕陷层分段以形成多个储 存节点； 形成栅氧化物层，其隔离这些储存节点；以及 形成镶嵌栅极，其包含填入该凹部的多晶硅层。 【当前权利人】茂德科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】8.0
