【摘要】 本发明是有关于一种场发射阴极板，包括：一基板；一阴极层，位于该基板表面；一导电层，其表面呈弧面状且位于该阴极层表面，亦或一电阻层，其具有一开孔且其电阻系数大于该阴极层；以及一场发射层，其表面呈弧面状且位于该导电层表面，或位于该导电层开孔中的该阴极层表面，且覆盖周围的该导电层。本发明亦提供一种上述场发射阴极板的制造方法，不需高分辨率及高成本的工艺需求，即可提供场发射均匀的阴极板。 【专利类型】发明申请 【申请人】大同股份有限公司; 财团法人工业技术研究院 【申请人类型】企业,科研单位 【申请人地址】中国台湾台北市中山区中山北路3段22号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810173897.2 【申请日】2008-11-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740279A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01J1/304; H01J29/04; H01J9/02; H01J1/30 【发明人】李宏元; 郑健民; 郑景翔; 秦年君; 杨宗翰 【主权项内容】一种场发射阴极板，包括：一基板；一阴极层，位于该基板表面；一导电层，其表面呈弧面状且位于该阴极层表面；以及一场发射层，其表面呈弧面状且位于该导电层表面。 【当前权利人】大同股份有限公司; 财团法人工业技术研究院 【当前专利权人地址】中国台湾台北市中山区中山北路3段22号; 中国台湾新竹县 【被引证次数】9 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】9
