【摘要】 本发明公开了一种相变化存储器元件及其制造方法。根据本发明的相变化存储器元件，第二导电间隙壁位于第一导电间隙壁下方。相变化层，包括第一部分和第二部分，其中第一部分大体上平行第一和第二导电间隙壁。第二部分位于第二导电间隙壁上，其中第二导电间隙壁经由相变化层的第二部分，电性连接第一导电间隙壁。 【专利类型】发明授权 【申请人】财团法人工业技术研究院; 力晶半导体股份有限公司; 南亚科技股份有限公司; 茂德科技股份有限公司; 华邦电子股份有限公司 【申请人类型】企业,科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810099165.3 【申请日】2008-05-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101383397B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101383397B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L27/24; G11C11/56; G11C16/02 【发明人】陈达 【主权项内容】一种相变化存储器元件，包括：第一导电间隙壁；第二导电间隙壁，位于该第一导电间隙壁下方；相变化层，包括第一部分和第二部分，其中该第一部分大体上平行该第一和第二导电间隙壁，该第二部分位于该第二导电间隙壁上，其中该第二导电间隙壁经由该相变化层的该第二部分，电性连接该第一导电间隙壁。 该数据由<>整理 【当前权利人】西格斯教育资本有限责任公司 【当前专利权人地址】美国特拉华州 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】21.0 【家族被引证次数】47
