【摘要】 本发明公开了一种具有二极管结构的可编程电阻存储器，是有关于一种可编程电阻存储单元，其可由半导体二极管结构存取。亦揭露具有可编程电阻元件的此类二极管结构的制造方法及集成电路。 【专利类型】发明申请 【申请人】旺宏电子股份有限公司; 国际商用机器公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810169253.6 【申请日】2008-10-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101727975A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101727975B 【授权公告日】2012-08-22 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G11C16/02; H01L27/115 【发明人】龙翔澜; 蓝中弘; 马修·J·布雷杜斯克 【主权项内容】一种集成电路，其具有一非易失存储单元阵列，其特征在于，包括：行导线，与该非易失存储单元阵列中的多个非易失存储单元电性耦接，该多个行导线是平行的安排，且定义出一第一平面走向；列导线，与该非易失存储单元阵列中的多个非易失存储单元电性耦接，该多个列导线是平行的安排，且定义出一第二平面走向，其与该第一平面走向平行；二极管，结构连接可编程电阻元件与该多个列导线，每一包含：一第一终端具有一外表面及一内表面与至少一可编程电阻元件连接；一第二终端与该第一终端的该外表面的一接面区域连接，以提供一二极管接面走向其与该第一平面走向及该第二平面走向正交；以及该可编程电阻元件，每一具有：一侧壁表面与至少一二极管结构的该第一终端的该内表面连接；一底表面与至少一行导线电性耦接。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司; 国际商用机器公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号; 美国纽约 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0
