【摘要】 本发明提供一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，所述元件包括一半导体基底，一图案化的隔离区设置于该半导体基底上，定义一第一主动区及一第二主动区。一高压N-型阱位于该半导体基底的该第一主动区中。一P-型体掺杂区于该半导体基底的该第二主动区中，其中该高压N-型阱和该P-型体掺杂区相隔一特定距离，露出该半导体基底。一P-型浓掺杂漏极区设置于该高压N-型阱中。一对相邻的一P-型浓扩散区和一N-型浓掺杂源极区设置于该P-型体掺杂区中。一栅极结构于该半导体基底上，其一端与该N-型浓掺杂源极区相接，其另一端延伸至该图案化的隔离区上。 数据由整理 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810174775.5 【申请日】2008-11-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728384A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728384B 【授权公告日】2011-07-06 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/04; H01L23/60 【发明人】周业宁; 杜尚晖; 张睿钧; 吴振玮 【主权项内容】一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，其特征在于，所述的栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件包括：一半导体基底；一图案化的隔离区设置于所述半导体基底上，定义一第一主动区及一第二主动区；一高压N-型阱于所述半导体基底的所述第一主动区中；一P-型体掺杂区于所述半导体基底的所述第二主动区中，其中所述高压N-型阱和所述P-型体掺杂区相隔一特定距离，露出所述半导体基底；一P-型浓掺杂漏极区设置于所述高压N-型阱中；一对相邻的一N-型和一P-型浓掺杂源极区设置于所述P-型体掺杂区中；以及一栅极结构于所述半导体基底上，其一端与所述N-型浓掺杂源极区相接，其另一端延伸至所述图案化的隔离区上。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】7 【被自引次数】2.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】7
